3月5日上午，A股三大指數(shù)集體上漲，上證指數(shù)盤中上漲0.46%，電子、機(jī)械設(shè)備、通信等板塊漲幅靠前，石油石化、煤炭跌幅居前。芯片科技股走強(qiáng)，截至9點(diǎn)45分，芯片ETF（159995.SZ）上漲2.48%，其成分股三安光電上漲10.03%，晶合集成上漲6.80%，拓荊科技上漲6.70%，芯原股份上漲6.11%。 2026 年存儲行業(yè)迎來高景氣周期，在 AI 算力需求爆發(fā)與國產(chǎn)替代雙重驅(qū)動下，DRAM、NAND 閃存供需持續(xù)偏緊，價格大幅上行。截至 2026 年 1 月，兩大存儲芯片價格均創(chuàng)下 2016 年有統(tǒng)計(jì)以來新高：主流 DDR4 8Gb DRAM 合約價 11.5 美元，環(huán)比上漲 24%、較 2025 年 9 月上漲 83%；128Gb NAND 閃存合約價 9.5 美元，環(huán)比上漲 65%、較 2025 年 9 月漲近 1.5 倍。受 AI 芯片與 HBM 內(nèi)存需求帶動，2026 年亞洲半導(dǎo)體大廠資本開支有望突破 1360 億美元，臺積電、三星、SK 海力士位列前列，其中臺積電加碼先進(jìn)制程，三星、海力士重點(diǎn)布局 HBM，直接拉動設(shè)備及先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈需求爆發(fā)。 東吳證券指出，存儲芯片價格受需求與產(chǎn)能影響持續(xù)上漲并向下游傳導(dǎo)，消費(fèi)電子終端調(diào)價趨勢逐步顯現(xiàn)。廠商通過減配的方式緩解成本上漲壓力的空間有限，上調(diào)終端價格將成為普遍趨勢。 資料顯示，芯片ETF（159995）跟蹤國證芯片指數(shù)，30只成分股集合A股芯片產(chǎn)業(yè)中材料、設(shè)備、設(shè)計(jì)、制造、封裝和測試等龍頭企業(yè)，其中包括中芯國際、寒武紀(jì)、長電科技、北方華創(chuàng)等。其場外聯(lián)接基金為，A類：008887；C類：008888。